常壓燒結碳化硅是新一代的高科技陶瓷，擁有許多優異的材料特性，包括高硬度、高強度、高剛性、質量輕及具有半導體特性，碳化硅制品的用途幾乎涵蓋每一個行業，如具有高耐磨性及高耐蝕性碳化硅軸封已廣泛用于機械工業、化工工業、造紙、煉油工業，又由于質量輕及硬度高，該產品已廣泛用于軍事的防護應用。采用常壓燒結法可以制得體積密度為的3.12g/cm3SiC陶瓷。常壓燒結SiC陶瓷在室溫下的電阻率大約為0.165Ωm；在300～600℃溫度范圍內表現出明顯的負電阻率溫度系數。
  常壓燒結碳化硅陶瓷的制備過程（1）將10μm的SiC顆粒粉磨加工成1.0μm；（2）對原料進行化學提純，主要是去除Si和SiO2；（3）料漿制備：同時加入添加劑；（4）噴霧干燥制粒，粒度在60～80目之間；（5）成型：采用冷壓成型；（6）修坯、干燥；（7）燒成：在Ar氣保護下于2000℃以上進行高溫燒結。
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