碳化硅的莫氏硬度為9.5，硬度與金剛石接近，只能用金剛石材料進行切割，切割難度大，保證切割過程穩定獲得低翹曲度的晶片是技術難點之一。

為了達到下游外延開盒即用的質量水平，需要對碳化硅襯底表面進行超精密加工，以降低表面粗糙度、表面平整度并達到嚴苛的金屬、顆粒控制要求。

化學機械拋光屬于化學作用和機械作用相結合的技術，碳化硅晶片表面首先與拋光液中的氧化劑發生化學反應，生成一層相對容易去除的軟質層，然后在拋光液中的磨料和拋光墊的機械作用下去除軟質層，在化學作用和機械作用的交替進行的過程中完成表面拋光，過程較為復雜。