眾所周知，采用第三代半導體材料的目的是為了提高產品效率和功率密度。大功率產品主要是Si IGBT向SiC MOSFET發展，目前在車載應用方面已經開始全面替換，其效率的提升以及重量的減輕直接提高了電動車的續航能力。而中小功率產品是Si MOSFET向GaN HEMT發展，主要應用是數據中心電源及充電適配器。

數據中心消耗的能源大概占總發電量的10%左右，采用第三代半導體材料GaN設計的電源能夠使效率提高3到5個點，從而節省全國千分之三到千分之五的電力消耗。這對于碳中和有非常重要的意義。充電適配器方面，采用氮化鎵可以減少一半的體積，目前基本成為消費者的剛需。特別是隨著PD3.1的推出，未來只需要帶上一臺PD適配器，就可以給任何便攜式電器充電。這將是一個十億量級的市場。

業內人士認為，隨著國家“碳中和”戰略性基調以及對第三代半導體的持續支持，未來全球第三代半導體材料SiC消費市場中國必定一馬當先。同時隨著國內第三代半導體材料SiC制程開始逐漸成熟，并且已經穩定生產，相信不遠可從根本上解決第三代半導體材料問題。

國產化趨勢不可阻擋，第三代半導體是國家彎道超車的主要產品，隨著工藝的進步，將有非常廣闊的市場空間。“第三代半導體材料不僅僅在于SiC和GaN，砷化鎵(GaAs)等化合物也是未來的重要力量，在當前的5G PA、電力線寬帶載波等領域都將有廣闊的應用。”業內人士表示。

受國家政策和半導體行業的支持推動，以GaN和SiC為代表的第三代半導體材料，已經成為半導體行業發展的重要關注對象。特別是在PD快充與新能源汽車領域，第三代半導體材料GaN和SiC的使用極大地推動了產品革新與迭代。