隨著科學技術的快速發展，碳化硅陶瓷的應用領域進一步拓寬，但特殊的使用工況也對SiC陶瓷制品的形狀復雜性提出了更高的要求。例如：在航空航天領域，為了提高光學系統的分辨率，碳化硅陶瓷反射鏡必須滿足口徑大、質量小的要求，因此反射鏡的減重設計越來越復雜；在集成電路領域，碳化硅陶瓷作為集成電路裝備關鍵組成部分，其結構復雜，精度要求極高；在化工醫藥領域，碳化硅陶瓷可以用于制作能進行化學反應的三維結構微反應器元件，結構極其復雜。

由此可見，復雜結構碳化硅陶瓷在現代科技的發展中發揮著越來越重要的作用。SiC陶瓷常用的燒結工藝有無壓燒結、反應燒結、熱壓燒結和熱等靜壓燒結等，而制備高致密度、高性能要求的SiC陶瓷制品通常需采用熱壓和熱等靜壓等成型工藝。為滿足碳化硅陶瓷的復雜結構設計要求，優化碳化硅陶瓷的制備工藝、實現近凈成型制備是關鍵，為此，將合適的成型技術與燒結技術科學的組合起來非常重要。