近二十年來碳化硅半導體材料開始被行內人士重視，因為它有許多優勢。早在上世記50年代，在黃昆、謝希德合著的“半導體物理學”著作中已介紹了半導體碳化硅。最早進入制作半導體器件的材料是鍺，隨后，硅和三、五族半導體材料登上了歷史舞臺。直至如今電力電子領域的晶閘管和IGBT等高壓、大電流器件仍是使用硅單晶材料。由于碳化硅器件設計理論有所突破，人們對更高性能的大功率半導體器件的期望也越來越迫切。世界不少大型半導體公司紛紛開發降低碳化硅器件溝道電阻并且降低整個器件功耗的技術。目前,低功耗的碳化硅器件已經從實驗室進入了實用器件生產階段，通過不斷的研究開發,碳化硅器件將主宰功率器件的市場。