關于石墨烯的制備和碳化硅(SiC)石墨烯的制備方法主要有兩類：機械方法和化學方法。
    機械方法包括微機械分離法、取向附生法和加熱碳化硅(SiC)的方法;化學方法是化學還原法與化學解理法。其中，加熱碳化硅(SiC)的方法是通過加熱單晶6H-SiC脫除Si，在單晶(0001) 面上分解出石墨烯片層。
    具體過程是：將經氧氣或氫氣刻蝕處理得到的樣品在高真空下通過電子轟擊加熱，除去氧化物。用俄歇電子能譜確定表面的氧化物完全被移除后，將樣品加熱使之度升高至1250~1450℃后恒1min~20min，從而形成極的石墨層，經過幾年的探索，Berger等人已經能可控地制備出單層或是多層石墨烯。其厚度由加熱度決定，但制備大面積具有單一厚度的石墨烯比較困難。加熱SiC的方法是一條以商品化碳化硅顆粒為原料，通過高裂解規模制備高品質無支持(Free standing)石墨烯材料的新途徑。通過對原料碳化硅粒子、裂解度、速率以及氣氛的控制，可以實現對石墨烯結構和尺寸的調控。這是一種非常新穎、對實現石墨烯的實際應用非常重要的制備方法。
    經過數十年不懈的努力，目前，全球只有少數的大學和研究機構研發出了碳化硅晶體生長和加工技術。在產業化方面，只有少數幾家公司能夠提供碳化硅晶片，國內的碳化硅晶片的需求大多賴于進口。目前，全球市場上碳化硅晶片價格昂貴。
    從公開資料上看，目前我國能生產碳化硅(SiC)的企業有天富熱電(600509)、東方鉭業(000962)和新大新材(300080)。其中天富熱電(600509)是唯一能生產碳化硅(SiC)晶片的公司，其生產的碳化硅晶片可用于制備石墨烯的原料。而后兩個公司生產的是刃料級的碳化硅。因此，如果采用這種方法生產石墨烯，在國內只能由天富熱電提供原料。天富熱電的碳化硅(SiC)晶片由公司旗下的天科合達藍光半導體公司生產，年產能是3萬片。截止2010年，公司的碳化硅晶片業務業績盈虧持平。目前，公司沒有接到碳化硅晶片的大訂單。
     如果，我國加熱碳化硅(SiC)的方法能研究成功并產業化，那么公司的碳化硅晶片業務或將迎來爆發性增長。