生長碳化硅晶體是一個漫長而困難的過程，而且制造高質量和大面積的碳化硅晶圓仍然很昂貴，因此能夠提供此類晶圓的公司數量非常有限。為了緩解這兩個問題，主要的碳化硅功率器件制造商都已與多家碳化硅晶圓供應商（如英飛凌與Wolfspeed和ShowaDenko、ST與Wolfspeed和SiCrystal）簽署了LTSA，和/或通過收購碳化硅材料供應商實現襯底自供，采用了垂直整合模式（例如，ST收購Norstel、羅姆收購SiCrystal、安森美收購GTAT），重塑了碳化硅生態系統。

此外，越來越多的碳化硅晶圓供應商正在開發200mm碳化硅晶圓的技術，意法半導體曾表示，首批200mm碳化硅晶圓質量上乘，影響芯片良率、晶體位錯的缺陷非常少。與150mm晶圓相比，200mm晶圓可增加產能，可用面積擴大幾乎一倍，良率則可增加80-90％。這代表了一種中期或長期解決方案。一些制造商正在對200mm碳化硅晶圓進行送樣，包括Wolfspeed、II-VI、SiCrystal、ST、GTAT、SKSiltron的美國子公司SKSiltronCSS。

與此同時，幾家公司也在開發顛覆性技術以解決成本和供應問題，目前已進入碳化硅生態系統的有：Siltectra、Disco的激光切割/減薄技術；Soitec的SmartCutTM碳化硅工程襯底和SumitomoMetalMining（住友金屬礦業）的碳化硅激光退火設備。