如果問近期哪種工業原材料最受矚目？碳化硅材料無疑是最炙手可熱的一種。以SiC碳化硅為代表的第三代半導體具有寬禁帶、高熱導率，高擊穿場，高飽和電子漂移速率，化學性能穩定，硬度高，抗磨損，高鍵和高能量以及抗輻射等優點，因此碳化硅成為制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料。

據某企業征信機構網站資料顯示，華為旗下全資子公司哈勃科技投資有限公司，近日投資了山東天岳先進材料科技有限公司，持股10%（位列第二股東）。山東天岳是一家以碳化硅晶體襯底材料生產研發為主的國內第三代半導體材料企業。該企業成立2011年12月，是全球第4家碳化硅襯底材料量產的企業，同時具備了導電型和高純半絕緣兩種工藝，尺寸覆蓋2-6英寸。2016年，山東天岳“寬禁帶功率半導體產業鏈項目”被國家發展改革委納入《國家集成電路“十三五”重大生產力布局》項目。

有業內人士認為“得碳化硅者得天下”！甚至可以說，無碳化硅難5G。我國及全球5G網絡正在大規模建設中。大數據傳輸、云計算、AI技術、物聯網，包括下一步的能源傳輸，對網絡傳輸速度及容量提出了越來越高的要求，大功率芯片的市場需求非常大。碳化硅的綜合性能較硅材料可提升上千倍，被譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產業的“新發動機”。

以未來長遠眼光看，這次華為布局投資碳化硅半導體公司可視為其在材料領域中進行戰略投資重要的一環，意義非凡。我們期待未來碳化硅材料實現量產后，將打破國外壟斷，推動國內5G芯片技術和生產能力的提升。