碳化硅（SiC），作為關鍵的工業原料，因其卓越的物理與化學特性——高熔點、優異的熱導率、出色的抗氧化性和高溫強度、以及卓越的化學穩定性和耐磨性，在眾多領域中扮演著不可或缺的角色。其早期制備主要依賴于碳熱還原法，即Acheson法，此法因原料成本低廉和工藝簡便，成為工業化合成SiC粉體的基石。

1、固相法 碳熱還原法（Acheson法）

由Acheson首創，通過高溫下石英砂與碳質材料反應制得α-SiC。該法因經濟高效、易于大規模生產，至今仍為工業首選。通過原料細化、混料改進和催化劑引入，可進一步提升產品質量至納米級別。

2、燃燒合成法（自蔓延高溫合成）

利用外部點火引發自持放熱反應，合成新材料。該法成本低、工藝簡潔，但控制難度大，可能產生復雜相。

3、機械粉碎法

通過外力作用破碎材料，實現超細粉體制備。盡管設備與工藝簡單，成本低廉，產量高，但易引入雜質。

4、液相法

溶膠-凝膠法

借助溶膠-凝膠技術，實現Si源和C源的分子級均勻混合，合成溫度低、粒度小、純度高，適用于實驗室高純超細粉體制備。

5、熱分解法

通過有機聚合物的熱分解生成SiC粉體，分為直接分解與骨架形成兩種路徑，關鍵在于先驅體的合成。

6、氣相法

化學氣相沉積法（CVD法）

通過氣體間的化學反應在密閉環境下沉積生成新物質，適合高純納米級SiC粉體的制備，但批量生產與收集存在挑戰。

7、激光誘導化學氣相沉積法（LICVD）

利用激光作為熱源促進氣體分子反應，形成納米SiC顆粒，適用于單質、無機化合物和復合材料超細粉末的合成。

8、等離子體法

采用電弧、感應或微波加熱產生等離子體，加速化學反應，快速冷卻后獲得納米顆粒。該法反應迅速，但設備要求高，效率有待提高，尚處于研發階段。

這些制備方法各具特色，根據具體應用需求選擇合適的工藝，能夠有效提升SiC粉體的性能與應用范圍。