眾所周知，碳化硅是目前半導體界公認的一種具有較高開發潛力的新式半導體材料。金蒙新材料公司所生產的碳化硅微粉屬于典型寬禁帶半導體，與其他材料相比具有很多優秀的物理特性。

　　大家通常認識一般就是碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶), 達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3 倍,高達3.2MV/cm.，其導熱率是硅的3.3倍,為 49w/cm.k。

　　碳化硅與硅半導體材料一樣，可以制成結型器件、場效應器件和金屬與半導體接觸的肖特基二極管。

　　但除此之外，其更具有以下優點：

　　1、碳化硅單載流子器件漂移區薄，開態電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導通電阻，碳化硅功率器件的正向損耗小。

　　2、碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場 而具有高的擊穿電壓。例如，商用的硅肖特基的電壓小于300V，而第一個商用的碳化硅肖特基二極管的擊穿電壓已達到600V。

　　3、碳化硅有高的熱導率，因此碳化硅功率器件有低的結到環境的熱阻。

　　4、碳化硅器件可工作在高溫，碳化硅器件已有工作在600℃的報道，而硅器件的最大工作溫度僅為150℃。

　　5、碳化硅具有很高的抗輻照能力。

　　6、碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時間的變化很小，可靠性好。

　　7、碳化硅器件具有很好的反向恢復特性，反向恢復電流小，開關損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(>20KHz)。

　　8、碳化硅器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻。