在當前科技立異、科技強國的年代，以碳化硅半導體為代表的第三代寬禁帶半導體資料的研討和開發現已得到世界各國的高度重視。

  不久前美國總統奧巴馬兩次拜訪美國碳化硅半導體的領軍企業——美國科銳公司，并稱其將引領美國的制造業完成清洗動力革新。在此之前更是親自建議建立美國碳化硅半導體工業聯盟，設立專項資金支撐全工業鏈疾速打破開展。1.4億美元的總支撐額用于提升美國在該新興工業方面的國際競爭力。同時，日本政府也將碳化硅半導體技能列入“輔弼計劃”，認為將來日本50%上的節能將由碳化硅完成。

  同樣在中國，以碳化硅半導體材料為代表的新材料的研討和開發，也已成為科技強國的重要組成部分。但因為中國在第一代、第二代半導體領域的研討和開發嚴峻落后于歐美日等興旺國家和地區，每年都要進口2000億美元以上的電子器材，一向未能完成打破和趕超。

  因為碳化硅半導體襯底資料可制造大功率、高熱導率的高頻率微波器材、功率器材和照明器材，具有十分顯著的性能優勢和無窮的工業股動效果，歐美日等興旺國家和地區都把開展碳化硅半導體技能列入國家戰略，投入巨資支撐開展。