（一）用金屬硅合成碳化硅
  反應式：Si+C=SiC
  采用高純度金屬硅粉和高純度碳粉（石墨粉）、在真空或保護氣氛下加熱合成。在1150~1250℃元素硅（Si)與碳（C)反應生成β-SiC，具有非晶態結構，到1350℃開始有β-SiC結晶。在2000℃生成β-SiC結晶。高于2000℃可生成α-SiC。
  用這種方法生產的碳化硅，雖然成本高，但可生產出高純度的碳化硅材料。
  （二）用氣體法合成碳化硅
  用四氯化硅（SiCl4)和碳氫化物（甲苯）反應，在1200~1800℃是生成SiC的最合適的溫度。用化學計量比Si:C=1:1的硅有機化合物，甲基三氯硅烷熱解可制取SiC。在1400~1900℃生成無色的SiC單晶體。
  用這種方法可以生產出高純的半導體、單晶體SiC,可在難熔金屬或其他化合物及石墨制品上制取致密的保護層。還可制取SiC高強度晶須及纖維。
  （三）合成碳化硅的理化性能
  (1)合成碳化硅的國家標準。
  (2)密度：以46號粒度為代表號綠碳化硅不小于3.18g/cm3;黑碳化硅不小于3.12g/cm3；
  (3)粒度組成：應符合GB/T2477-1981《磨料粒度及其組成》的規定；
  (4)鐵合金粒允許含量為零；
  (5)磁性物允許含量：不大于0.2%。