理想汽車創始人、董事長兼CEO李想曾表示，碳化硅電驅系統是理想汽車高壓純電平臺的四個核心技術之一。

日前，理想汽車重磅布局碳化硅（SiC）芯片，功率半導體研發及生產基地日前落戶蘇州。

此次落戶的理想汽車功率半導體研發及生產基地由理想汽車與國內半導體龍頭企業三安光電共同出資組建蘇州斯科半導體有限公司，主要專注于第三代半導體碳化硅車規芯片模組的研發及生產。

早在1月25日，北京車和家和三安光電宣布共同設立經營一家合資公司，將主要從事新能源汽車SiC芯片和模塊的研發，這家合資公司可能就是2022年3月成立的蘇州斯科半導體。

該項目將于2022年6月中旬啟動廠房建設，年內竣工后進入設備裝調，預計2023年5月啟動樣品試制，2024正式投產后，將逐步形成年產240萬只半橋生產能力。

在超級快充技術和碳化硅電驅方面，據此前報道，理想正在自研480千瓦級別的超充平臺，其中包括整車850V以上的變壓平臺，以及基于碳化硅的電驅動系統等。

另外，據車東西報道，理想汽車成立了一家新公司，業務范圍包含芯片設計，名為四川理想智動科技有限公司。這很有可能意味著，理想汽車可能正在布局汽車芯片設計，并且未來在旗下車型上用上自研芯片。至于造什么芯，車東西認為，SiC芯片有一定的可能性，同時也能造自動駕駛芯片。