Microchip推出3.3kV碳化硅(SiC)功率器件
近期，Microchip宣布擴展其SiC產品組合，推出業界最低導通電阻[RDS(on)]3.3kVSiCMOSFET和最高額定電流SiCSBD。
Microchip分立產品業務部副總裁LeonGross表示：我們新的3.3kVSiC功率產品系列使客戶能夠輕松、快速、自信地轉向高壓SiC，并受益于這種令人興奮的技術相對于基于硅設計的諸多優勢。”
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