實現強國夢 突破碳化硅半導體技術
美國總統奧巴馬兩次訪問美國碳化硅半導體的領軍企業,不久前更是親自發起成立美國碳化硅半導體產業聯盟,設立專項資金支持全產業鏈快速突破發展。1.4億美元的總支持額用于提升美國在該新興產業方面的國際競爭力。日本政府則將發展碳化硅半導體技術列入“首相計劃”,認為未來日本50%以上的節能將由碳化硅實現。
碳化硅半導體材料在提高性能裝備、增強國防實力方面也有著重要作用.碳化硅基數波器件襯底材料與氮化鎵結合,用在雷達、通訊商其微波輸出功率密度是砷化鎵的10倍以上,工作頻率達到100GHz以上,被廣泛應用于艦船、航空航天、精確制導。
山東金蒙新材料在國家主導下加快應用的開發,在第三代半導體產業上奮力趕超國家,研發鋰電池負極材料碳化硅,打造中國“芯”,實現中國夢。
下一篇:碳化硅應用新方向上一篇: 涂料添加劑新配料—碳化硅
最新產品
同類文章排行
- 棕剛玉磨料電導率影響的因素有哪些?
- 碳化硅微粉:噴砂與磨料行業中的明星材料
- 碳化硅、白剛玉等磨料微粉是如何進行顆粒整形?
- 大面積碳化硅陶瓷膜層化學氣相沉積(CVD)技術
- 碳化硅陶瓷反應連接技術
- 高精度碳化硅陶瓷制品無模成型工藝
- 碳化硅陶瓷凝膠注模成型工藝
- 集成電路制造裝備用精密陶瓷結構件的特點
- 固相燒結碳化娃(SSiC)優缺點
- 如何實現碳化硅晶圓的高效低損傷拋光?
最新資訊文章
您的瀏覽歷史
