近日，我國自主研制的4英寸高純半絕緣碳化硅(SiC)襯底產品面世。中國電子材料行業協會組織的專家認為，該成果國內領先，已達到國際先進水平。
  碳化硅基微波功率器件具有高頻、大功率和耐高溫的特性，是新一代雷達系統的核心。
  長期以來，碳化硅基微波功率器件的核心材料高純半絕緣碳化硅襯底產品生產、加工難度大，一直是國內空白，國際上只有少數國家掌握該技術，并一直對我國進行技術封鎖和產品禁運。
  據了解，碳化硅基微波器件作為當今世界最為理想的微波器件，其功率密度是現有微波器件的10倍，將成為下一代雷達技術的標準。美軍干擾機和“宙斯盾”驅逐艦的相控陣雷達已開始換裝碳化硅基微波器件產品，軍用市場將在未來幾年推動碳化硅基微波器件的快速發展。
  可以說，研制高純半絕緣碳化硅襯底材料是我國新一代雷達系統獲得突破的核心課題之一。
  項目研發者表示，4英寸高純半絕緣碳化硅半導體材料的研制成功使我國擁有了自主可控的重要戰略半導體材料，它將是新一代雷達、衛星通訊、通訊基站的核心，并將在機載雷達系統、地面雷達系統、艦載雷達系統以及彈載雷達系統等領域實現應用。