一、氣相法

1.化學氣相沉積法（CVD法）

CVD法是通過氣體的高溫反應得到超細、高純的SiC粉體，其中Si源一般選擇SiH4和SiCl4等，C源一般選擇CH4、C2H2和CCl4等，而(CH3)2SiCl2、Si(CH3)4等氣體既可以同時提供Si源和C源，這些氣體的純度均在99.9999%以上。

CVD法利用有機氣源合成高純的SiC粉體，但該方法對有機氣源以及內部石墨件的純度要求非常高，增加了生產成本。另外，合成的粉體為納米級的超細粉體，不易收集，同時合成速率較低，目前無法用于生產大批量的高純SiC粉體。

2.等離子體法

等離子體法是將反應氣體通入由射頻電源激發的等離子體容器中，氣體在高速電子的碰撞下相互反應，最后得到高純的SiC粉體。等離子體法使用的氣源與CVD法相同，氣體純度也在99.9999%以上。

等離子體法通過高能電子碰撞得到高純的SiC粉體，降低了SiC粉體的合成溫度，通過增加氣體流量以及等離子腔的尺寸可以提高SiC粉體的產率。但是合成的粉體粒徑太小，需要進一步處理才能用于晶體生長。

二、溶膠-凝膠法

目前液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成高純的SiC粉體，其制備過程是將無機鹽或醇鹽溶于溶劑（水或醇）中形成均勻溶液，得到均勻的溶膠，經過干燥或脫水轉化成凝膠，再經過熱處理得到所需要的超細粉體。溶膠-凝膠法合成的碳化硅粉體最早用于燒結碳化硅陶瓷，隨著工藝的不斷改善，合成粉體的純度也不斷提升，目前溶膠-凝膠法制備的SiC粉體已經可以用于單晶的生長。

溶膠-凝膠法可以制備高純度、超細SiC粉體，但是制備成本較高，合成過程復雜，不適合工業化生產。

三、自蔓延高溫合成法

自蔓延高溫合成法屬于固相合成法，該方法是在外加熱源的條件下，通過添加活化劑使反應物的化學反應自發持續的進行。然而活化劑的添加勢必會引入其他雜質，為了保證生成物的純度，研究人員選擇提高反應溫度以及持續加熱的方式來維持反應的進行，這種方法被稱為改進的自蔓延高溫合成法。改進的自蔓延高溫合成法制備過程簡單，合成效率高，在工業上被廣泛用于生產高純SiC粉體。該方法將固態的Si源和C源作為原料，使其在1400~2000℃的高溫下持續反應，最后得到高純SiC粉體。

目前，在改進的自蔓延合成法中，研究人員通過控制起始Si源和C源中雜質含量以及對合成的SiC粉體進行提純處理，可以將大部分雜質如B、Fe、Al、Cu、P等控制在1×10－6以下。然而，為了制備半絕緣SiC單晶襯底，SiC粉體中N元素的含量也必須盡可能降低，而無論是Si粉還是C粉，都極易吸附空氣中大量的N元素，導致合成的SiC粉體中N元素含量較高，無法滿足半絕緣單晶襯底的使用要求。因此，目前改進的自蔓延合成法制備SiC粉體的研究重點在于如何降低SiC粉體中N元素的含量。