無壓燒結

無壓燒結被認為是SiC燒結最有前途的燒結方法，根據燒結機理的不同，無壓燒結又可分為固相燒結和液相燒結。S.Proehazka通過在超細β-SiC粉體（含氧量小于2%）中同時加入適量B和C的方法，在2020℃下常壓燒結成密度高于98%的SiC燒結體。A.Mulla等以Al2O3和Y2O3為添加劑在1850-1950℃燒結0.5μm的β-SiC(顆粒表面含有少量SiO2)，獲得的SiC陶瓷相對密度大于理論密度的95%，并且晶粒細小，平均尺寸為1.5μm。

熱壓燒結

Nadeau指出，不添加任何燒結助劑，純SiC只有在極高的溫度下才能燒結致密，于是不少人對SiC實行熱壓燒結工藝。關于添加燒結助劑對SiC進行熱壓燒結的報道已有許多。Alliegro等研究了B、Al、Ni、Fe、Cr等金屬添加物對SiC致密化的影響，發現Al和Fe是促進SiC熱壓燒結最有效的添加劑。F.F.Lange研究了添加不同量Al2O3對熱壓燒結SiC的性能影響，認為熱壓燒結致密是靠溶解--再沉淀機理。但是熱壓燒結工藝只能制備形狀簡單的SiC部件，而且一次熱壓燒結過程中所制備的產品數量很小，因此不利于工業化生產。
熱等靜壓燒結

為了克服傳統燒結工藝存在的缺陷，Duna以B和C為添加劑，采用熱等靜壓燒結工藝，在1900℃便獲得了密度大于98%、室溫抗彎強度高達600MPa左右的細晶SiC陶瓷。盡管熱等靜壓燒結可獲得形狀復雜的致密SiC制品，并且制品具有較好的力學性能，但是HIP燒結必須對素坯進行包封，所以很難實現工業化生產。

反應燒結

反應燒結S iC又稱自結合SiC，是通過多孔坯件同氣相或液相發生化學反應,使坯件質量增加,孔隙減小,并燒結成具有一定強度和尺寸精度的成品的工藝。是由α—SiC粉和石墨按一定比例混臺成坯體后，并加熱到1650 ℃左右，同時熔滲 Si或通過氣相Si滲入坯體，使之與石墨起反應生成β—SiC，把原先存在的α—SiC顆粒結合起來。 如果滲Si完全，就可得到完全致密、無尺寸收縮的反應燒結體。同其它燒結工藝比較,反應燒結在致密過程中的尺寸變化小,可以制造尺寸精確的制品，但燒結體中相當數量SiC的存在，使得反應燒結的SiC陶瓷高溫性能較差。