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碳化硅陶瓷的基本特性

文章出處:網責任編輯:作者:人氣:-發表時間:2020-04-01 15:24:00【
  碳化硅陶瓷材料具有高溫強度大、高溫抗氧化性強、耐磨損性能好、熱穩定性佳、熱膨脹系數小、熱導率大、硬度高、抗熱震和耐化學腐蝕等優良特性,在汽車、機械化工、環境保護、空間技術、信息電子、能源等領域有著日益廣泛的應用,已經成為一種在很多工業領域性能優異的其他材料不可替代的結構陶瓷。
 
基本特性
一、化學屬性
 
1、抗化合性:碳化硅材料在氧氣中反應達到1300℃時會生成二氧化硅保護層,抵制碳化硅繼續被化合。1900K是碳化硅在氧化劑氛圍下的最高工作氣溫。
 
2、耐酸堿性:在耐酸、堿及化合物的效用方面,因為二氧化硅保護膜的效用,碳化硅的抗酸能力非常非常強,抗堿性稍差。
 
二、物理性能
 
1、密度:各樣碳化硅晶形的顆粒密度十分相近,通常情況下,應該是3.20g/mm,其碳化硅磨料的堆積密度在1.2--1.6g/mm之間,其高低取決于其粒度號、粒度合成和顆粒形狀的大小。
 
2、硬度:碳化硅的硬度為:莫氏9.5級。單晶硅的硬度為:莫氏7級。多晶硅的硬度為:莫氏7級。都是硬度相對較高的物料。努普硬度為2670—2815公斤/毫米,在磨料中高于剛玉而僅次于金剛石、立方氮化硼和碳化硼。
        
3、導熱率:碳化硅制品的導熱率非常高,熱膨脹參數小,抗熱震性非常高,是優質的耐火材料。
 
三、電學屬性
        
恒溫下工業碳化硅是一種半導體,屬雜質導電性。高純度碳化硅隨著氣溫的升高內阻率降低,含雜質碳化硅按照其含雜質不一樣,導電性能也不一樣。
 
四、其它屬性
       
1、親水性好。
 
2、在電性能方面,SiC具有半導體特性,少量雜質的引入會使其表現出良好的導電性。
 
3、優良的導熱性。

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