碳化硅的反應燒結法最早在美國研究成功。反應燒結的工藝過程為：先將α-SIC粉和石墨粉按比例混勻，經干壓、擠壓或注漿等方法制成多孔坯體。在高溫下與液態硅接觸，坯體中的碳與滲入的硅反應，生產β-SIC，并與α-SIC相結合，過量的硅填充與氣孔，從而得到無孔致密的反應燒結體。反應燒結碳化硅通常含有8%的游離硅。因此，為保證滲硅的完全，素坯應具有足夠的孔隙度。一般通過調整最初混合料中α-SIC和碳的含量，α-SIC的粒度級配，碳的形狀和粒度以及成型壓力等手段來獲得適當的素坯密度。

　　實驗表明，采用無壓燒結、熱壓燒結、熱等靜壓燒結和反應燒結的碳化硅陶瓷具有各異的性能特點。如就燒結密度和抗彎強度來說，熱壓燒結和熱等靜壓燒結碳化硅陶瓷相對較多，反應燒結碳化硅相對降低。另一方面，碳化硅陶瓷的力學性能還隨燒結添加劑的不同而不同。無壓燒結、熱壓燒結和反應燒結碳化硅陶瓷對強酸、強堿具有良好的抵抗力，單反應燒結碳化硅陶瓷對HF等超強酸的抗蝕性較差。就耐高溫性能比較來看，當溫度低于900℃時，幾乎所有碳化硅陶瓷強度均有所提高;當溫度超過1400℃時，反應燒結碳化硅陶瓷抗彎強度急劇下降。對于無壓燒結和熱等靜壓燒結的碳化硅陶瓷，其耐高溫性能主要受添加劑種類的影響。