近年來，為進一步提高碳化硅陶瓷的力學性能，研究人員進行了碳化硅陶瓷的熱等靜壓工藝的研究工作。研究人員以Ｂ和Ｃ為添加劑，采用熱等靜壓燒結工藝，在1900℃便獲得高密度碳化硅燒結體。更進一步，通過該工藝，在2000℃和138MPa壓力下，成功實現無添加劑碳化硅陶瓷的致密燒結。
  經研究表明：當SiC粉末的粒徑小于0.6μｍ時，即使不引入任何添加劑，通過熱等靜壓燒結，在1950℃即可使其致密化。如選用比表面積為24㎡/g的SiC超細粉，采用熱等靜壓燒結工藝，在1850℃便可獲得高致密度的無添加劑碳化硅陶瓷。另外，Al2O3是熱等靜壓燒結碳化硅陶瓷的有效添加劑。而Ｃ的添加對碳化硅陶瓷的熱等靜壓燒結致密化不起作用，過量的Ｃ甚至會抑制碳化硅陶瓷的燒結。