近年來，我國逐步實現了碳化硅功率器件的國產化，作為有較廣開展潛力的新式半導體材料的碳化硅，受到越來越多的企業和科研機構的認可，并通過相關企業的實驗驗證。
  眾所周知，目前市場上所采用的功率模塊中的IGBT芯片等大多數都是采用硅材料制造的，與Si相比，碳化硅材料的禁帶寬度是Si的3-5倍，臨界擊穿電場強度更是Si的10倍以上，電子飽和速率也是Si的2倍。
  因而與傳統的Si功率器件相比，利用碳化硅微粉材料制作而成的功率器件具有關斷拖尾電流極小、開關速度快、損耗低、耐高溫的特性。
  同時，由于采用SIC功率器件開發電力電子變流器，能提高功率密度，縮小裝置體積;提升變流器效率;提高開關頻率，縮小濾波器體積;確保高溫環境下運行的可靠性;還易于實現高電壓大功率的設計。因此碳化硅功率器件被越來越多地廣泛用于節能、高頻和高溫等三大電力電子系統領域。