資訊分類
{$Cloumns$}
碳化硅作為半導體材料的特點
文章出處：原創網責任編輯：王龍作者：王龍人氣：-發表時間：2017-03-21 07:52:00
眾所周知，碳化硅是目前半導體界公認的一種具有較高開發潛力的新式半導體材料。金蒙新材料公司所生產的碳化硅微粉屬于典型寬禁帶半導體，與其他材料相比具有很多優秀的物理特性。
大家通常認識一般就是碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶), 達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3 倍,高達3.2MV/cm.，其導熱率是硅的3.3倍,為 49w/cm.k。
碳化硅與硅半導體材料一樣，可以制成結型器件、場效應器件和金屬與半導體接觸的肖特基二極管。
下一篇：負極材料用綠碳化硅冶煉工藝上一篇： 納米碳化硅
此文關鍵字：碳化硅
