蔚來下一代電動車將選用安森美最新SiC功率模塊
近年來,新能源汽車遭遇的技術瓶頸主要是如何進一步提升車輛的經濟性。為此,全球汽車行業已向碳化硅(SiC)制成的芯片行業投資數十億美元,皆因業界認為這類技術可以幫助他們制造高性能電動汽車。
近期,安森美(onsemi)宣布全球汽車創新企業蔚來(NIOInc.)為其下一代電動車(EV)選用安森美的最新VE-TracTMDirectSiC功率模塊。這種以碳化硅為基礎的功率模塊能使電動車的續航里程更遠、能效更高,加速度也更快。兩家公司合作加快SiC技術商業化的進程,為市場帶來配備先進半導體材料的電動車。
據悉,這次設計合作是安森美為開發適用于智能電動車等新興應用技術的精力結晶成果。VE-TracDirectSiC采用了安森美的第二代SiCMOSFET技術,使性能、能效和質量都達到新的水平,同時與上一代IGBT共享兼容的封裝尺寸。一個整合的柱狀鰭片底板可直接進行液體冷卻,并易于封裝,從而達到最大的功率輸出和更高效的散熱。
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