1月10日，新加坡科學、技術和研究機構 (A*STAR)旗下微電子研究所 (IME)和法國Soitec半導體公司宣布開展研究合作，共同開發滿足電動汽車和高壓電子設備應用的碳化硅器件。具體而言則是IME采用Soitec專有技術生產的200毫米直徑碳化硅襯底開發外延及MOSFET，并以此建立基準展示優勢。

法國Soitec利用其智能切割技術（SmartCut），可生產高性能、低能耗和低成本的150mm和200mm直徑碳化硅晶圓襯底。SmartCut技術是在低質量的載體上粘貼高質量的單晶碳化硅，形象一些的比喻是把碳化硅襯底變成和三明治一樣的結構。這樣不僅可以提升元件的電氣性能，同時還可以降低成本，提升產量。簡單用數字對比，該技術可以將傳統工藝生產的碳化硅襯底變成10個。

A*STAR（AgencyforScience,TechnologyandReseach）是新加坡最大的科研機構，旗下IME（InstituteofMicroelectronics）則在集成電路和系統以及研究設計和過程技術方面建立了強大的專門知識和能力。

雙方本次研究合作計劃持續到2024年年中，Soitec首席技術官兼高級執行副總裁ChristopheMaleville表示：“這是我們與新加坡微電子研究所合作并展示SmartSiC襯底可擴展到200mm的絕佳機會。作為這一新工藝的主要受益者，新加坡的半導體生態系統將有機會驗證通過我們合作生產的SiC晶圓的卓越能效。”