碳化硅是一種重要的寬禁帶半導體材料，由于其具有高的熱導率、大的飽和電子漂移速率及搞得擊穿場強，從而被廣泛應用于制備高溫、高頻及大功率電子器件。4H碳化硅點群為6mm，理論上存在二階非線性光學效應。同事碳化硅優異的物理性質，如寬的帶隙、高的熱導率及強的共價鍵能等有利于提高其抗激光損傷能力，其損傷閥值可達80GW/cm²，然而，目前國際上還沒有碳化硅晶體非線性光學頻率變換的實驗報道。
  研究所告知中紅外段激光在分子光譜、氣體探測、環境保護、醫學、激光通訊、紅外遙感及光電對抗等領域具有重要的應用，非線性光學頻率變換是目前獲得中紅外激光的有效途徑。常用的中紅外非線性光學晶體受到低激光損傷閥值的新型中紅外非線性光學材料是當前中紅外激光研究領域的前沿和特點。
  碳化硅微粉及碳化硅粒度砂是碳化硅特性的主要組成，碳化硅的用途廣泛，現在已經很多企業生產廠家都在使用碳化硅在生產自己的制品，可見碳化硅的發展步伐是很光明的。