用金屬硅合成碳化硅
反應式：Si+C=SiC
采用高純度金屬硅粉和高純度碳粉（石墨粉）、在真空或保護氣氛下加熱合成。在1150~1250℃元素硅（Si)與碳（C)反應生成β-SiC，具有非晶態結構，到1350℃開始有β-SiC結晶。在2000℃生成β-SiC結晶。高于2000℃可生成α-SiC。
用這種方法生產的碳化硅，雖然成本高，但可生產出高純度的碳化硅材料。
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此文關鍵字：碳化硅
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