金蒙新材料小編從相關渠道了解到：SiC電力電子器件在牽引領域的應用現狀及SiC電力電子器件在牽引領域應用面對的挑戰。目前，寬禁帶半導體SiC是最有發展前途的電力電子材料，滿足牽引變流器輕量化、小型化、高效化的發展趨勢。
  電牽引技術的不斷發展要求電力電子器件具有更高的功率密度、更高的工作溫度、更小的功率損耗、更快的開關速度。目前，以碳化硅(SiC)為代表的第三代寬禁帶半導體電力電子器件已經實現商品化，在牽引領域表現出巨大的潛力。SiC材料較大的禁帶寬度(3.26eV)使其相比于Si材料(1.12eV)具有很大的優勢：本征載流子濃度低20個數量級，臨界擊穿電場高10倍，熱導率高3倍，電子飽和漂移速率高1倍等。這些特性使得SiC電力電子器件在高溫、高頻及阻斷電壓等方面突破原有Si材料的極限。
目前，SiC電力電子器件已經在600V-1700V中低壓領域實現了產業化，Cree、Rohm、Infineon等公司可批量供應最大電流50A的SiC SBD及MOSFET產品，其應用已顯著提高系統工作頻率及整機效率。機車牽引、高壓直流輸變電等領域目前正小批量試用高壓SiC器件，系統性能提升明顯。SiC電力電子器件在牽引領域應用正由樣機試驗試制階段向批量化生產和工程化應用靠近。