SiC單晶技術研發歷史[ 05-06 16:22 ]

Si和SiC作為半導體材料幾乎同時被提出，但由于SiC生長技術的復雜和缺陷、多型現象的存在，其發展曾一度被擱淺。SiC的發展歷經了多個重要階段。第一個階段是結構基本性質和生長技術的探索階段，時間跨度從1924年發現SiC結構至1955年Lely法的提出。第二階段是物理基本性質研究和英寸級別單晶生長的技術積累階段。在此階段物理氣相傳輸(PVT)生長方法基本確定、摻雜半絕緣技術被提出，至1994年Wolfspeed推出了商用的2英寸(50.8mm)SiC襯底材料。從1994年以后，隨著國際上半導體照明及2英寸SiC單晶

關于取消召開2022年春季全國磨料磨具行業信息交流會的通知[ 05-05 17:07 ]

國際半導體行業巨頭搶灘8英寸碳化硅晶圓襯底[ 05-02 08:03 ]

從目前全球市場情況來看，目前SiC半導體市場主要由Wolfspeed、英飛凌、羅姆半導體旗下SiCrystal、II－IV、新日鐵住金及道康寧等國外廠商占據著。同時，根據市場的公開資料顯示，這些廠商在進入6英寸生產后，在近兩年來，其中一部分廠商又對其6英寸產線進行了擴產，并在積極推動SiC向8英寸發展。 在國際知名大廠中，據“三代半風向”統計，目前有7家企業能夠生產8英寸SiC晶圓襯底，包括英飛凌、Wolfspeed、羅姆、II-VI、Soitec，意法半導體以及中國的爍科晶體。

第六屆“鄭州三磨展”將延期舉辦[ 04-29 13:04 ]

受新冠疫情近期發展態勢影響，原定于2022年5月26-28日舉辦的第六屆“鄭州三磨展”將延期舉辦。具體舉辦時間另行通知。

韓國成立碳化硅產業聯盟[ 04-27 13:53 ]

據 粉體網信息 韓媒ETNews報道，為了開發新一代功率半導體，韓國將于14日正式推出其由國內半導體企業、大學、研究所等組成的“新一代晶體工程部”，以應對碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鎵（GaO）等迅速增長的全球功率半導體市場。 該研究部門的目標是開發以碳化硅（SiC）為基礎的國產功率半導體生態系統，還將培育與碳化硅半導體相關的材料、零部件和設備企業的發展，并決定為應對碳化硅半導體市場的增長，組成聯盟。 在該聯盟中，LXSemiconductor、SKsilt