金蒙新材從相關行業渠道了解到：伴隨著清潔能源、高鐵以及電動汽車等工業領域對高溫半導體器件的需求，碳化硅器件得到更廣泛應用。

　　作為替代傳統硅基IGBT的電力電子器件的碳化硅器件產業，近些年來發展迅速，相關產品和應用不斷涌現。正如行業內的專家所講，碳化硅器件具備兩大明顯優勢：一方面開關頻率很高，另一方面可以在高溫環境下工作。高開關頻率意味著節能和高效，耐高溫特性具有潛力去除或減少對冷卻系統的依賴。

　　目前，談起高溫半導體器件，許多人會自然而然提到碳化硅材料。眾所周知，碳化硅的耐高溫性能非常出色，碳化硅器件芯片可承受溫度達400-600℃。雖然碳化硅器件耐高溫出色，但如果其周圍的驅動器件仍舊采用傳統的硅基器件而不能耐高溫的話，則依舊離不開冷卻系統的支持，這樣碳化硅器件的耐高溫性能就將大打折扣。因此，只有通過采用相同的耐高溫器件作為碳化硅開關的驅動器件，其耐高溫特性才能得以發揮，并將減少甚至去除對冷卻系統的需要。