21世紀，是信息技術大爆發的時代，在信息技術快速發展過程中，必然離不開半導體材料的迅猛發展。半導體材料、器件的發展必將引發一場全新的產業技術革命。

以SiC、GaN為代表的第三代半導體材料在短波長激光器、白光發光管、高頻大功率器件等方面有廣闊的應用，是目前半導體產業技術發展的一個熱門方向。

碳化硅功率器件不僅能夠在直流、交流輸電，不間斷電源，工業電機等傳統工業領域廣泛應用，而且在新能源汽車、太陽能光伏、風力發電等領域具有廣闊的潛在市場。

與第一代半導體材料Si和第二代半導體材料GaAs相比，碳化硅具有更優良的物理和化學性質，這些性質包括高熱導率、高硬度、耐化學腐蝕、耐高溫、對光波透明等。

以碳化硅為代表的寬禁帶半導體功率器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。

碳化硅材料優異的熱學特性和抗輻照特性也使其成為制備紫外光電探測器的首選材料之一。

此外，碳化硅基傳感器能夠彌補Si基傳感器在高溫、高壓等惡劣環境下的性能缺陷，從而擁有更廣闊的適用空間

碳化硅功率器件可使電力電子系統的功率、溫度、頻率、抗輻射能力、效率和可靠性倍增，帶來體積、重量以及成本的大幅減低。