第三代半導體材料主要包括以氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶Ⅲ族氮化物、以碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶Ⅳ族化合物以及寬禁帶氧化物，具備擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優越性能，是固態光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導體照明、新一代移動通信、新能源并網、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域有廣闊的應用前景，正在成為全球半導體產業新的戰略高地。

為助力中國第三代半導體行業發展提質增效，更好地整合國內外第三代半導體行業的優勢資源，實現中國半導體行業迅速崛起。在科技部、發改委、工信部及北京政府等相關部門大力支持下，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟和中關村科技園區順義園管理委員會主辦的2017國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）將于2017年11月1-3日在北京首都機場希爾頓酒店召開。

其中，作為論壇的重要組成部分，“碳化硅材料與器件分會”將涵蓋SiC襯底、同質外延和電力電子器件技術。分會廣泛征集優秀研究成果，將邀請國內外知名專家參加本次會議，充分展示碳化硅材料及電力電子器件技術的最新進展。

碳化硅（SIC）被半導體界公認為“一種未來的材料”，是新世紀有廣闊發展潛力的新型半導體材料。預計在今后5～10年將會快速發展和有顯著成果出現。促使碳化硅發展的主要因素是硅（SI）材料的負載量已到達極限，以硅作為基片的半導體器件性能和能力極限已無可突破的空間。