眾所周知，碳化硅原料作為一種重要的寬禁帶半導體材料，由于其本身所具有的高熱導率，飽和電子漂移速率大和擊穿場強高的特點，目前已被廣泛應用于制備高溫、高頻及大功率電子元器件。

　　根據有關中科院物理研究所專家最新研究成果顯示，4H碳化硅晶體在2.5-5.6μm中紅外波段具有較高透過率。通過實際測試確定了4H碳化硅晶體的相位匹配條件。

　　在此之前，國際上還尚未出現有關碳化硅微粉晶體非線性光學頻率變化的實驗報道。中科院物理研究所的專家與教授們通過合作實驗，首次獲得了波長覆蓋3.9-5.6μm的寬譜中紅外激光輸出。因此此項實驗結果的獲得，有望進一步實現大功率電子元器件的中紅外激光輸出。