去年發布的“‘十四五’規劃和2035年遠景目標綱要”明確提出，我國將加速推動以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體新材料新技術產業化進程，催生一批高速成長的新材料企業。

作為第三代半導體代表材料，碳化硅具有優良的物理和化學性能。

力學性能：高硬度（克氏硬度為3000kg/mm2），可以切割紅寶石；高耐磨性，僅次于金剛石。

熱學性能：熱導率超過金屬銅，是Si的3倍，是GaAs的8～10倍，散熱性能好，對于大功率器件非常重要。

化學性能：耐腐蝕性非常強，室溫下幾乎可以抵抗任何已知的腐蝕劑。SiC表面易氧化生成SiO2薄層，能防止其進一步氧化，在高于1700℃時，這層氧化膜熔化并迅速發生氧化反應。SiC能溶解于熔融的氧化劑物質。

電學性能：4H-SiC和6H-SiC帶隙約是Si的3倍，是GaAs的2倍；其擊穿電場強度高于Si一個數量級，飽和電子漂移速度是Si的2.5倍。4H-SiC的帶隙比6H-SiC更寬。

總之，碳化硅半導體是新一代寬禁帶半導體，它具有熱導率高(比硅高3倍)、與GaN晶格失配小(4%)等優勢，非常適合用作新一代發光二極管（LED）襯底材料、大功率電力電子材料。