碳化硅模塊是支撐各種工業應用的關鍵技術之一，相比傳統硅基IGBT功率模塊具有更高功率密度、更高可靠性、更高工作結溫、更低寄生電感、更低熱阻等特性。在需要提升系統功率密度、使用更高主開關頻率的尖端電力電子設備的性能升級過程中，現有硅基IGBT配合硅基FRD（快恢復二極管）的性能已無法完全滿足要求，需要高性能與性價比兼具的主開關器件。

隨著SiC技術的日趨成熟和商業化應用，其獨特的耐高溫性能不斷加速推動結溫從150℃邁向175℃，甚至已出現了200℃的產品。借助于這種獨特的高溫特性和低開關損耗優勢，可以為未來的高溫、高功率密度應用，如多電和全電飛機、移動儲能充電站以及各種液體冷卻受到嚴重限制的電力應用提供動力。

在許多工業應用中，一些機械動作都是采用經典的液壓傳動，受環境影響很大且維護成本很高，目前已趨向于部分或全部采用電氣化（電機），以實現可靠性高、高可維護性，且便于冗余備份設計。

另外，在許多應用場景中，如半移動式儲能充電站和全移動式充電寶將有效填補固定式充電站的缺失，特別是隨著電動車的大規模普及，這一點將表現得更為明顯。然而，對于這類移動充電應用，水冷機構不僅會帶來額外重量和體積負擔，更重要的是它會消耗自身攜帶的存儲電能，因此，采用自然冷卻的電控將是最佳方法，但必須妥善處理好電控系統熱管理的問題。

在許多特種工業應用中，當液體冷卻受到嚴重限制時，電控系統將面臨同樣的高溫挑戰。耐高溫的電控技術是實現以上高溫應用的關鍵，天賦異稟的實現技術是SiC功率器件的高溫封裝技術和與之相匹配的高溫驅動電路技術。