當前以碳化硅半導體材料為代表的新材料研發和生產，現已成為實現我國材料強國夢的重要組成部分。由于我國在第一代、第二代半導體領域的研討和開發嚴峻落后于歐美日等興旺國家和地區，每年都要進口上千億美元以上的電子器材。

　　在當今科技創新日益發展的年代，以碳化硅半導體為代表的第三代寬禁帶半導體材料的研發現已得到許多國家的高度重視。因為碳化硅半導體襯底材料可制造大功率、高熱導率的高頻率微波器材、功率器材和照明器材，具有十分顯著的性能優勢。因此，碳化硅半導體科技被許多發達國家和地區政府列入國家戰略，投入大量資金進行扶持。

　　金蒙新材料公司生產的高品質碳化硅微粉屬于寬禁帶半導體，具有很多優秀的物理特性，例如(1)大概10倍的電場強度;(2)大概高3倍的熱導率;(3)大概寬3倍禁帶寬度;(4)大概高一倍的飽滿漂移速度。因而被廣泛應用在此類行業領域。