Wolfspeed宣布斥巨資擴產碳化硅晶圓產能[ 09-15 16:27 ]

9月9日，碳化硅半導體技術全球領導者Wolfspeed宣布將在北卡羅來納州投建200mm（8吋）碳化硅晶圓項目，一期投資13億美元，預計2024年投產；二期預計投資48億美元，到2030年投產，投資目標是使Wolfspeed達到目前產能的十倍。 Wolfspeed首席執行官GreggLowe表示，碳化硅芯片能夠在500華氏度以上運行，電壓大約是傳統硅片可以處理的10倍，基于碳化硅的芯片已在電動汽車中找到一席之地，它們用于逆變器——該組件的作用是將電力從汽車電池傳輸到使車輪轉動的電機。L

碳化硅器件工藝難點在哪里？[ 09-14 17:19 ]

襯底片完了之后就是長外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蝕，涂膠，沉積，清洗，離子注入等工藝，和硅工藝基本一致，然后就是后道的晶圓切die，封裝測試等，基本流程和硅差不多。 其中長外延，光刻膠，背面退火，刻蝕，以及氧化柵極工藝區別，歐姆接觸和硅工藝區別非常大。 硅的外延工藝就是普通的硅外延爐之類價格也很便宜國產的大約400-500萬一臺（8英寸的）；碳化硅的是特殊的MOCVD/HT-CVD，且價格非常貴，基本要800-1500萬人民幣一臺，而且產能很低，一臺爐子一個月產能是30片。 外延爐主要是國外

為什么碳化硅晶圓成本高？[ 09-13 16:14 ]

碳化硅的長晶技術大致有三種，PVT物理氣相傳輸法，HT-CVD高溫氣相沉積法，以及LPE溶液法。 其中PVT比較主流，優點是簡單，可靠，成本可控。CVD對設備要求太高，價格很貴，只有高質量的半絕緣襯底會用這個方法；LPE溶液法能做天然P型襯底，但是缺陷很難控制，還需要時間積累，日本公司不少專注于這個路線。 以PVT法為例，這種方案下碳化硅生長速度只有硅材料生長速度的1/100都不到，144小時只有2cm左右的厚度，實在是太慢了，要想獲得更多的產量，只能靠長晶爐數量堆。 目前國外日新技研和PVATe

碳化硅現在面臨的缺點和掣肘是什么？[ 09-12 15:09 ]

碳化硅優點很多，但是目前也僅僅是一個小汽車應用場景上使用，還是無法大規模替代硅功率器件，業內從技術和產業角度來理解有以下這些問題。 首先碳化硅這種材料，在自然界是沒有的，必須人工合成，結果必然是成本遠遠高于可以自然開采的材料，而且碳化硅升華熔點約2700度，且沒有液態，只有固態和氣態，因此注定不能用類似拉單晶的切克勞斯基法（CZ法）制備，因此第一步晶體生長技術卡住了第一步也是最關鍵的一步，導致原材料價格過于昂貴。 因此碳化硅6英寸襯底高達1000美金，而6英寸硅片為23美金（150元），兩者實在差太多了

寬禁帶半導體材料的優點[ 09-09 17:05 ]

碳化硅，氮化鎵有個很拉風的名字叫寬禁帶半導體材料，國內也叫第三代半導體。它特指禁帶寬度超過2.2eV的材料主要是碳化硅（3.2eV）和氮化鎵（3.34eV）；超過4.0eV叫超寬禁帶半導體材料，國內叫第四代半導體材料，包括氮化鋁（AlN），金剛石（C），氧化鎵（Ga2O3）和氧化鋅（ZnO），就是上上周美國搞制裁的那個，有意思的是美國只禁了氧化鎵和金剛石，不提氮化鋁和氧化鋅，嘿嘿！說明他們這塊不行，氮化鋁可能還是日本和中國搞的出色些。 禁帶寬度物理意義是實際上是反映了價電子被束縛強弱程度的一個物理量，也就是產