碳化硅產業鏈主要分為襯底制備、外延生長、器件制造、模塊封測和系統應用等幾個重要的環節。碳化硅器件與傳統硅功率器件制作工藝不同，無法直接在碳化硅單晶材料上制備，需在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。外延生長作為承上啟下的重要環節，是產業鏈的中堅力量。

碳化硅外延的成品為外延片，即在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶相同的單晶薄膜（外延層）的碳化硅片。為了滿足寬禁帶半導體器件在不同應用領域對電阻等參數的特定要求，其制備需在外延層上，碳化硅晶片本身只作為襯底，因此外延質量的好壞將會影響碳化硅器件的性能。

目前碳化硅襯底上常見外延有碳化硅同質外延和氮化鎵異質外延，前者適用于高壓性能的功率器件，后者適用于高頻性能的射頻器件。