一、大尺寸SiC單晶襯底制備技術仍不成熟。

目前國際上已經開發出了8英寸SiC單晶樣品，單晶襯底尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。并且缺乏更高效的SiC單晶襯底加工技術；p型襯底技術的研發較為滯后。

二、n型SiC外延生長技術有待進一步提高。

三、SiC功率器件的市場優勢尚未完全形成，尚不能撼動目前硅功率半導體器件市場上的主體地位。

國際SiC器件領域：SiC功率器件向大容量方向發展受限制；SiC器件工藝技術水平比較低；缺乏統一的測試評價標準。

中國SiC功率器件領域存在以下3個方面差距：

（1）在SiCMOSFET器件方面的研發進展緩慢，只有少數單位具備獨立的研發能力，產業化水平不容樂觀。

（2）SiC芯片主要的工藝設備基本上被國外公司所壟斷，特別是高溫離子注入設備、超高溫退火設備和高質量氧化層生長設備等，國內大規模建立SiC工藝線所采用的關鍵設備基本需要進口。

（3）SiC器件高端檢測設備被國外所壟斷。

四、目前SiC功率模塊存在的主要問題：

（1）采用多芯片并聯的SiC功率模塊，會產生較嚴重的電磁干擾和額外損耗，無法發揮SiC器件的優良性能；SiC功率模塊雜散參數較大，可靠性不高。

（2）SiC功率高溫封裝技術發展滯后。

五、SiC功率器件的驅動技術尚不成熟。

六、SiC器件的應用模型尚不能全面反映SiC器件的物理特性。一般只適合于對精度要求較低的常規工業場合。