三種生長SiC單晶用SiC粉體制備方法的優缺點[ 09-08 17:45 ]

生長SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，其中雜質含量應至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中，氣相法通過控制氣源中的雜質含量可以獲得純度較高的SiC粉體；液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿足單晶生長需要的SiC粉體；固相法中的改進自蔓延高溫合成法是目前使用范圍最廣，合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。 目前合成單晶生長用高純SiC的方法并不多，以CVD法和改進的自蔓延合成法為主，其中氣相法合成的粉體多為納米級，生產效率低，無法滿足工業需求；同時，固相法制備過程的眾多雜質中，N元素的含量一直

碳化硅晶圓生產用高純碳化硅粉制備方法[ 09-07 15:41 ]

生長SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，其中雜質含量應至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中，氣相法通過控制氣源中的雜質含量可以獲得純度較高的SiC粉體；液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿足單晶生長需要的SiC粉體；固相法中的改進自蔓延高溫合成法是目前使用范圍最廣，合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。 一、氣相法 1.化學氣相沉積法（CVD法） CVD法是通過氣體的高溫反應得到超細、高純的SiC粉體，其中Si源一般選擇SiH4和SiCl4等，C源一般選擇CH4、C2H2和CCl4等

碳化硅粉在碳化硅晶圓生產中的應用[ 09-06 16:39 ]

碳化硅晶圓的生產，是先要制備碳化硅襯底，目前其制備多采用改進Lely法、高溫CVD法和溶液法，其中以改進Lely法為主流。 Lely法，又稱升華法，其基本原理是：在空心圓筒狀石墨坩堝中（最外層石墨坩堝，內置多孔石墨環），將具有工業級純度的碳化硅粉料投入坩堝與多孔石墨環之間加熱到2500℃，碳化硅在此溫度下分解與升華，產生一系列氣相物質比如硅單晶、Si2C和SiC2等。由于坩堝內壁與多孔石墨環之間存在溫度梯度，這些氣相物質在多孔石墨環內壁隨機生成晶核。但Lely法產率低，晶核難以控制，而且會形成不同結構，尺寸也

碳化硅功率器件的多功能集成封裝技術和散熱技術介紹[ 09-03 16:45 ]

碳化硅器件的出現推動了電力電子朝著小型化的方向發展，其中集成化的趨勢也日漸明顯。瓷片電容的集成較為常見，通過將瓷片電容盡可能靠近功率芯片可有效減小功率回路寄生電感參數，減小開關過程中的震蕩、過沖現象。但目前瓷片電容不耐高溫，所以并不適宜于碳化硅的高溫工作情況。 驅動集成技術也逐漸引起了人們的重視，三菱、英飛凌等公司均提出了SiC智能功率模塊(IPM)，將驅動芯片以及相關保護電路集成到模塊內部，并用于家電等設備當中。此外，還有EMI濾波器集成，溫度、電流傳感器集成、微通道散熱集成等均有運用到碳化硅封裝設計當中。

碳化硅功率器件的高溫封裝技術介紹[ 09-02 17:02 ]

在進行芯片正面連接時可用銅線替代鋁線，消除鍵合線與DBC銅層之間的熱膨脹系數差異，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。 錫片或錫膏常用于芯片和DBC板的連接，焊接技術非常成熟而且簡單，通過調整焊錫成分比例，改進錫膏印刷技術，真空焊接減小空洞率，添加還原氣體等可實現極高質量的焊接工藝。但焊錫熱導率較低，且會隨溫度變化，并不適宜SiC器件在高溫下工作。此外，焊錫層的可靠性問題也是模塊失效的一大原因。 燒結銀連接