關于發展碳化硅產業一些理性思考[ 06-04 16:14 ]

目前，國內碳化硅產業看上去紅紅火火，但硅的霸主地位依舊不可撼動，80%集成電路仍在使用硅，而碳化硅的優勢主要在于其功率特性。 車用市場是碳化硅首先引爆的應用市場，2022年以后，SBD會因為國內廠商的崛起引發激烈競爭，而車規MOSFET應用的高壁壘形成了精英賽道，能夠跑到最后的競爭者有限。因此，是否有能力開展MOSFET的研發，是否有能力出貨，就成了判斷碳化硅器件公司成功與否的客觀標準。 未來，從產業鏈價值分布及客戶優勢等方面看，上游擁有襯底量產技術、外延能力的企業，以及擁有功率半導體器件經驗、下游客戶

碳化硅產業鏈的“中堅力量”：外延生長[ 05-28 15:42 ]

碳化硅產業鏈主要分為襯底制備、外延生長、器件制造、模塊封測和系統應用等幾個重要的環節。碳化硅器件與傳統硅功率器件制作工藝不同，無法直接在碳化硅單晶材料上制備，需在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。外延生長作為承上啟下的重要環節，是產業鏈的中堅力量。 碳化硅產業鏈主要分為襯底制備、外延生長、器件制造、模塊封測和系統應用等幾個重要的環節。碳化硅器件與傳統硅功率器件制作工藝不同，無法直接在碳化硅單晶材料上制備，需在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，并在外延層上制造各

碳化硅晶片去除表面損傷的4種常用方法[ 05-25 15:30 ]

碳化硅單晶生長之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是沒法直接用于外延的，這就需要加工。其中，滾圓把晶碇做成標準的圓柱體，線切割會把晶碇切割成晶片，各種表征保證加工的方向，而拋光則是提高晶片的質量。 晶片的表面會有損傷，損傷源于本來晶體生長的缺陷、前面加工步驟中的破壞。對于局部損傷，世界上有四種方法：不管、更換、修補、去除；對于碳化硅表面的損傷層，不管不顧肯定不行，因為會影響器件的成品率；更換晶片，不就是砸自己的飯碗嘛；修補其實是再次生長，現在沒有低成本的方案；而去除是一條還算可行的，用一定的材料廢棄，來提高總體材料

碳化硅器件應用于逆變器優勢[ 05-20 16:41 ]

碳化硅導通損耗和開關損耗優勢明顯。就電動汽車逆變器而言，功率器件是核心能量轉換單元，其損耗包含兩部分，導通損耗Econ和開關損耗Esw。 碳化硅在電流比較小也就是輕載的工況下導通損耗優勢是比較明顯的，再結合輕載工況開關損耗占比更大（碳化硅開關損耗也低），這也印證了為什么碳化硅更適合城市工況。因此逆變器應用碳化硅MOS體現在效率Map上就是高效區面積比較大。 另外，碳化硅MOS打開時雙向導通，又規避了IGBT模塊在續流時，FRD的導通壓降比IGBT大的問題，進一步降低導通損耗。 碳化硅可降低整車能耗

SiC器件在各行業中的應用及優勢[ 05-16 16:55 ]

1、電源/大型服務器：用于電源及功率因數校正器內部，減積減重、提高效率、降低損耗。 2、光伏：用于光伏逆變器中，光伏發電產生的電流為直流電，需要通過逆變器轉換為交流電以實現并網。采用SiC功率器件可以減積減重；提高逆變轉化效率2%左右，綜合轉換效率達到98%；降低損耗，提高光伏發電站經濟效益；SiC材料特性，降低故障率。 3、風電：用于風電整流器、逆變器、變壓器，風力發電產生的交流電易受風力影響使得電壓、電流不穩定，先要經過整流為直流電后再逆變成交流電實現并網，提高效率、降低損耗，同時成本和質量分別減少