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- SiC外延生長常見元素[ 04-18 16:40 ]
- SiC外延生長：常見元素 襯底： •用于電力電子的4H多型 •當前晶圓直徑150mm和200mm •定向4°離軸 •雙面拋光 •在晶片的硅面上生長的外延 •需要對硅表面進行仔細的化學機械拋光(cmp)以減少缺陷 生長參數： •溫度~1650oC •壓力~50-100mbar •硅源 •碳源 •摻雜氣體 •C
- SiC相對于Si器件的優勢[ 04-17 15:34 ]
- SiC相對于Si器件的優勢： •SiC的寬帶隙允許更薄的外延層來阻擋給定的電壓 •較薄的漂移層降低了整體器件電阻 •更高的電子飽和速度允許更高頻率的運行 •SiC的高導熱性允許器件在>200C的高溫下運行
- SiC的不同晶體結構[ 04-16 13:30 ]
- 由于Si與C雙原子層堆積序列的差異會導致不同的晶體結構，SiC有著超過200種（目前已知）同質多型族。 其中最被人熟知的便是立方密排的3C-SiC和六方密排的2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC（碳化硅具有優良的物理和化學性能）。 最常用的多型是： 4H-SiC——功率集成電路應用 6H-SiC——射頻應用 在不同的晶面上生長不同的晶錠多型體： 4H-SiC——在碳(C)面晶種上生長 6H-SiC&
- 士蘭微：6寸SiC功率器件芯片生產線預計今年Q3通線[ 04-15 17:26 ]
- 近日，士蘭微在接受機構調研時表示，SiC生產線目前還是中試線。公司已著手在廈門士蘭明鎵公司建設一條6吋SiC功率器件芯片生產線，預計在2022年三季度實現通線。 據了解，士蘭微2022年營收主要增長點主要是IPM模塊、PIM模塊、MEMS傳感器、AC-DC電路、DC-DC電路、手機快充芯片、PoE電路、IGBT、MOSFET、FRD等產品。士蘭微表示，未來公司對集成電路板塊的規劃和戰略的重點會放在車規和工業級電源管理產品、功率IC、信號鏈和混合信號處理電路、MEMS傳感器等。
- 碳化硅半導體市場大爆發[ 04-14 16:21 ]
- 據yole介紹，受汽車應用的強勁推動，尤其是在EV主逆變器方面的需求，sic市場高速增長。 據報告，繼特斯拉采用SiC后，2020年和2021年又有多款新發布的EV和公告。此外，特斯拉創紀錄的出貨量幫助SiC器件在2021年達到10億美元的規模。他們指出，為了滿足長續航的需求，800VEV是實現快速直流充電的解決方案。這就是1200VSiC器件發揮重要作用的地方。 根據報告，截至2022年，比亞迪的Han-EV和現代的Ioniq-5通過提供快速充電功能獲得了不錯的銷量。Nio、Xpeng等更多OEM計劃
