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- 碳化硅具有優良的物理和化學性能[ 03-22 16:17 ]
- 去年發布的“‘十四五’規劃和2035年遠景目標綱要”明確提出，我國將加速推動以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體新材料新技術產業化進程，催生一批高速成長的新材料企業。 作為第三代半導體代表材料，碳化硅具有優良的物理和化學性能。 力學性能：高硬度（克氏硬度為3000kg/mm2），可以切割紅寶石；高耐磨性，僅次于金剛石。 熱學性能：熱導率超過金屬銅，是Si的3倍，是GaAs的8～10倍，散熱性能好，對于大功率器件非常重要。 化學性能：耐腐蝕性非常
- 華為猛投SiC賽道有何戰略意圖？[ 03-21 16:13 ]
- 去年9月底，華為發布了《數字能源2030》白皮書，白皮書中指出，“電力電子技術和數字技術成為驅動能源產業變革的核心技術”。更高電壓、更高效率、更高功率密度代表了電力電子器件技術的發展方向。在2020年之前的50年中，硅基電力電子器件技術日益成熟，產業規模不斷壯大，在能源領域發揮了不可或缺的作用。然而受材料特性所限，硅基電力電子器件性能正在接近其理論極限，難以繼續支撐技術和產業快速前進的要求。進入新世紀以來，尤其是從2010年至今，諸多新興的半導體材料憑借優越的材料特性為電力電子器件技術帶來了
- SiCMOSFET器件的商業化[ 03-19 15:59 ]
- 近20多年來，以碳化硅為代表的寬禁帶半導體器件，受到了廣泛的關注。SiC材料具有3倍于硅材料的禁帶寬度，10倍于硅材料的臨界擊穿電場強度，3倍于硅材料的熱導率，因此SiC功率器件適合于高頻、高壓、高溫等應用場合。 其中SiCMOSFET是最為成熟、應用最廣的SiC功率開關器件，具有高開關速度、低損耗和耐高溫等優點，被認為是替代硅IGBT的最佳選擇。SiCMOSFET是一種具有絕緣柵結構的單極性器件，關斷過程不存在拖尾電流，降低了開關損耗，進而減小散熱器體積；并且其開關速度快，開關頻率高，有利于減小變換器中電感
- 碳化硅功率器件相關標準立項通過[ 03-18 15:54 ]
- 據中國粉體網訊 近期，由江蘇宏微科技有限公司、重慶大學聯合牽頭，泰克科技（中國）有限公司、工業和信息化部電子第五研究所、全球能源互聯網研究院有限公司、北京海瑞克科技發展有限公司、廣州電網有限公司電力科學研究院等單位聯合提交的《碳化硅MOSFET開關運行條件下閾值穩定性測試方法》團體標準提案，經CASA標準化委員會（CASAS）管理委員會審核，根據《CASA管理和標準制修訂細則》，上述團體標準提案立項通過，分配編號為：CASA024。
- 碳化硅晶片生產流程及清洗技術[ 03-17 14:52 ]
- 碳化硅晶片經過清洗可以有效去除表面沾污和雜質，同時保證不引入新的雜質，從而使最終的碳化硅晶片產品滿足半導體下游客戶的要求。 傳統的硅襯底材料使用RCA標準清洗方法來去除材料表面的污染，但是碳化硅是一種極性晶體，表面帶有一定的電荷，吸附污染物后變得更加難以清洗。
