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    中科院物理研究所成功制備單一晶型8英寸SiC晶體[ 05-10 12:22 ]
    近期,中科院物理研究所在寬禁帶半導體領域取得重要進展,研人員通過優化生長工藝,進一步解決了多型相變問題,持續改善晶體結晶質量,成功生長出單一4H晶型的8英寸SiC晶體。 SiC器件的成本主要由襯底、外延、流片和封測等環節形成,襯底在SiC器件成本中占比高達約45%。進一步擴大SiC襯底尺寸,在單個襯底上增加器件的數量是降低成本的主要途徑。8英寸SiC襯底將比6英寸在成本降低上具有明顯優勢。8英寸SiC晶體生長的難點在于:首先要研制出8英寸籽晶;其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻、氣相原料分布和輸運效率問題;另外
    多孔重結晶碳化硅陶瓷的制備與力學性能表征[ 05-09 16:20 ]
    多孔重結晶碳化硅陶瓷(recrystallizedsiliconCarbides,RSiC)由于純度極高、不含晶界雜質相而具有優異的高溫力學性能、熱穩定性、耐腐蝕性能、高熱導率以及較小的熱膨脹系數,作為高溫結構材料廣泛用于航空航天等領域。而且由于燒結過程中不收縮,可以制備形狀復雜、精度較高的部件。 目前,針對RSiC的研究和應用,一方面在于提高其致密度用于極端環境服役的高溫結構材料,另一方面在于提高其氣孔率用于高溫過濾催化用的多孔結構/功能材料。 高溫過濾催化用多孔材料,如用作柴油車尾氣顆粒物過濾器(Die
    在單晶生長方面SiC晶體制備的兩個難點[ 05-08 08:34 ]
    與傳統的單晶硅使用提拉法制備不同,目前規模化生長SiC單晶主要采用物理氣相輸運法(PVT)或籽晶的升華法。這也就帶來了SiC晶體制備的兩個難點: 1、生長條件苛刻,需要在高溫下進行。一般而言,SiC氣相生長溫度在2300℃以上,壓力350MPa,而硅僅需1600℃左右。高溫對設備和工藝控制帶來了極高的要求,生產過程幾乎是黑箱操作難以觀測。如果溫度和壓力控制稍有失誤,則會導致生長數天的產品失敗。 2、生長速度慢。PVT法生長SiC的速度緩慢,7天才能生長2cm左右。而硅棒拉晶2-3天即可拉出約2m長的8英
    做一片八英寸SiC晶圓生產難點在哪?[ 05-07 16:27 ]
    目前以硅基為材料的晶圓已經開始從8英寸邁向了12英寸,硅晶圓的生產經驗是否可以助力SiC晶圓向更大面積發展,與硅晶圓相比,SiC晶圓的生產難點又在哪里?   包括SiC在內的第三代半導體產業鏈包括包括襯底→外延→設計→制造→封裝。其中,襯底是所有半導體芯片的底層材料,起到物理支撐、導熱、導電等作用;外延是在襯底材料上生長出新的半導體晶層,這些外延層是制造半導體芯片的重要原料,影響器件的基本性能;設計包括器件設計和集成電路設計,其中器件設計包括半導體器件的結構、材
    SiC單晶技術研發歷史[ 05-06 16:22 ]
    Si和SiC作為半導體材料幾乎同時被提出,但由于SiC生長技術的復雜和缺陷、多型現象的存在,其發展曾一度被擱淺。SiC的發展歷經了多個重要階段。第一個階段是結構基本性質和生長技術的探索階段,時間跨度從1924年發現SiC結構至1955年Lely法的提出。第二階段是物理基本性質研究和英寸級別單晶生長的技術積累階段。在此階段物理氣相傳輸(PVT)生長方法基本確定、摻雜半絕緣技術被提出,至1994年Wolfspeed推出了商用的2英寸(50.8mm)SiC襯底材料。從1994年以后,隨著國際上半導體照明及2英寸SiC單晶
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