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- 國內碳化硅外延的難點[ 09-21 15:14 ]
- 當前外延主要以4英寸及6英寸為主，大尺寸碳化硅外延片占比逐年遞增。碳化硅外延尺寸主要受制于碳化硅襯底尺寸，當前6英寸碳化硅襯底已經實現商用，因此碳化硅襯底外延也逐漸從4英寸向6英寸過渡。在未來幾年里，大尺寸碳化硅外延片占比會逐年遞增。由于4英寸碳化硅襯底及外延的技術已經日趨成熟，因此，4英寸碳化硅外延晶片已不存在供給短缺的問題，其未來降價空間有限。此外，雖然當前國際先進廠商已經研發出8英寸碳化硅襯底，但其進入碳化硅功率器件制造市場將是一個漫長的過程，隨著8英寸碳化硅外延技術的逐漸成熟，未來可能會出現8英寸碳化硅功率
- 國內碳化硅襯底的難點[ 09-20 16:11 ]
- 當前，國內廠商碳化硅襯底生產的技術指標與國際主流廠商相比仍有明顯差距。碳化硅襯底正在不斷向大尺寸的方向發展，目前行業內公司主要量產襯底尺寸集中在4英寸及6英寸。在最新技術研發儲備上，以行業領先者WolfSpeed公司的研發進程為例，WolfSpeed公司已成功研發8英寸產品。為提高生產效率并降低成本，大尺寸是碳化硅襯底制備技術的重要發展方向，襯底尺寸越大，單位襯底可制造的芯片數量越多，單位芯片成本越低；襯底的尺寸越大，邊緣的浪費就越小，有利于進一步降低芯片的成本。由于現有的6英寸的硅晶圓產線可以升級改造用于生產Si
- 碳化硅功率器件的性能優勢[ 09-19 17:07 ]
- 碳化硅在半導體中存在的主要形式是作為襯底材料，基于其優良的特性，碳化硅襯底的使用極限性能優于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應用需求，當前碳化硅襯底已應用于射頻器件及功率器件。碳化硅器件優點如下： （1）耐高壓。擊穿電場強度大，是硅的10倍，用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度，并大大降低器件的導通損耗。所以在實際應用過程中，與硅基相比可以設計成更小的體積，約為硅基器件的1/10。 （2）耐高溫。半導體器件在較高的溫度下，會產生載流子的本征激發現象，造成器件失效。
- 碳化硅襯底領域國產替代成效顯著[ 09-17 15:03 ]
- 碳化硅作為第三代半導體材料的主要代表之一，其技術發展也至關重要。雖然國內碳化硅的技術水平與國外有所差距，但國內企業在2-6英寸的半絕緣型和導電型碳化硅襯底領域均已實現部分國產替代，8英寸晶圓也在研制過程中，國產替代進程講持續突破。 碳化硅市場產業鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產、碳化硅器件研發和裝備封裝測試四個部分，分別占市場總成本的50%、25%、20%、5%，由于具備晶體生長過程繁瑣，晶圓切割困難等特點，碳化硅襯底的制造成本一直處于高位。目前高質量襯底的應用主要集中于WolfSpeed、II-VI、RO
- Wolfspeed宣布斥巨資擴產碳化硅晶圓產能[ 09-15 16:27 ]
- 9月9日，碳化硅半導體技術全球領導者Wolfspeed宣布將在北卡羅來納州投建200mm（8吋）碳化硅晶圓項目，一期投資13億美元，預計2024年投產；二期預計投資48億美元，到2030年投產，投資目標是使Wolfspeed達到目前產能的十倍。 Wolfspeed首席執行官GreggLowe表示，碳化硅芯片能夠在500華氏度以上運行，電壓大約是傳統硅片可以處理的10倍，基于碳化硅的芯片已在電動汽車中找到一席之地，它們用于逆變器——該組件的作用是將電力從汽車電池傳輸到使車輪轉動的電機。L
