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- 國內(nèi)碳化硅外延的難點[ 09-21 15:14 ]
- 當前外延主要以4英寸及6英寸為主，大尺寸碳化硅外延片占比逐年遞增。碳化硅外延尺寸主要受制于碳化硅襯底尺寸，當前6英寸碳化硅襯底已經(jīng)實現(xiàn)商用，因此碳化硅襯底外延也逐漸從4英寸向6英寸過渡。在未來幾年里，大尺寸碳化硅外延片占比會逐年遞增。由于4英寸碳化硅襯底及外延的技術(shù)已經(jīng)日趨成熟，因此，4英寸碳化硅外延晶片已不存在供給短缺的問題，其未來降價空間有限。此外，雖然當前國際先進廠商已經(jīng)研發(fā)出8英寸碳化硅襯底，但其進入碳化硅功率器件制造市場將是一個漫長的過程，隨著8英寸碳化硅外延技術(shù)的逐漸成熟，未來可能會出現(xiàn)8英寸碳化硅功率
- 國內(nèi)碳化硅襯底的難點[ 09-20 16:11 ]
- 當前，國內(nèi)廠商碳化硅襯底生產(chǎn)的技術(shù)指標與國際主流廠商相比仍有明顯差距。碳化硅襯底正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展，目前行業(yè)內(nèi)公司主要量產(chǎn)襯底尺寸集中在4英寸及6英寸。在最新技術(shù)研發(fā)儲備上，以行業(yè)領(lǐng)先者WolfSpeed公司的研發(fā)進程為例，WolfSpeed公司已成功研發(fā)8英寸產(chǎn)品。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，大尺寸是碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向，襯底尺寸越大，單位襯底可制造的芯片數(shù)量越多，單位芯片成本越低；襯底的尺寸越大，邊緣的浪費就越小，有利于進一步降低芯片的成本。由于現(xiàn)有的6英寸的硅晶圓產(chǎn)線可以升級改造用于生產(chǎn)Si
- 碳化硅功率器件的性能優(yōu)勢[ 09-19 17:07 ]
- 碳化硅在半導體中存在的主要形式是作為襯底材料，基于其優(yōu)良的特性，碳化硅襯底的使用極限性能優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應(yīng)用需求，當前碳化硅襯底已應(yīng)用于射頻器件及功率器件。碳化硅器件優(yōu)點如下： （1）耐高壓。擊穿電場強度大，是硅的10倍，用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度，并大大降低器件的導通損耗。所以在實際應(yīng)用過程中，與硅基相比可以設(shè)計成更小的體積，約為硅基器件的1/10。 （2）耐高溫。半導體器件在較高的溫度下，會產(chǎn)生載流子的本征激發(fā)現(xiàn)象，造成器件失效。
- 碳化硅襯底領(lǐng)域國產(chǎn)替代成效顯著[ 09-17 15:03 ]
- 碳化硅作為第三代半導體材料的主要代表之一，其技術(shù)發(fā)展也至關(guān)重要。雖然國內(nèi)碳化硅的技術(shù)水平與國外有所差距，但國內(nèi)企業(yè)在2-6英寸的半絕緣型和導電型碳化硅襯底領(lǐng)域均已實現(xiàn)部分國產(chǎn)替代，8英寸晶圓也在研制過程中，國產(chǎn)替代進程講持續(xù)突破。 碳化硅市場產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅器件研發(fā)和裝備封裝測試四個部分，分別占市場總成本的50%、25%、20%、5%，由于具備晶體生長過程繁瑣，晶圓切割困難等特點，碳化硅襯底的制造成本一直處于高位。目前高質(zhì)量襯底的應(yīng)用主要集中于WolfSpeed、II-VI、RO
- Wolfspeed宣布斥巨資擴產(chǎn)碳化硅晶圓產(chǎn)能[ 09-15 16:27 ]
- 9月9日，碳化硅半導體技術(shù)全球領(lǐng)導者Wolfspeed宣布將在北卡羅來納州投建200mm（8吋）碳化硅晶圓項目，一期投資13億美元，預計2024年投產(chǎn)；二期預計投資48億美元，到2030年投產(chǎn)，投資目標是使Wolfspeed達到目前產(chǎn)能的十倍。 Wolfspeed首席執(zhí)行官GreggLowe表示，碳化硅芯片能夠在500華氏度以上運行，電壓大約是傳統(tǒng)硅片可以處理的10倍，基于碳化硅的芯片已在電動汽車中找到一席之地，它們用于逆變器——該組件的作用是將電力從汽車電池傳輸?shù)绞管囕嗈D(zhuǎn)動的電機。L
