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- 哈爾濱科友半導體6英寸碳化硅襯底正式投產[ 08-25 11:37 ]
- 據粉體圈消息：8月18日，位于哈爾濱新區，投資10億元建設的科友第三代半導體產學研聚集區項目一期正式投產，預計年底全部達產后可形成年產能10萬片6英寸碳化硅襯底的生產能力。 據悉，哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司（科友半導體）成立于2018年，是一家專注于第三代半導體裝備研發、襯底制造、器件設計、技術轉移和科研成果轉化的國家級高新技術企業。去年7月，科友半導體產學研聚集區項目正式開工建設。主要建設中俄第三代半導體研究院、中外聯合技術創新中心、科友半導體襯底制備中心、科友半導體高端裝備制造中心、國際
- 士蘭微啟動6吋（150mm）SiC功率器件生產線建設項目[ 08-24 10:28 ]
- 據粉體圈消息：7月30日，杭州士蘭微電子股份有限公司發布對外投資進展公告，將啟動化合物半導體第二期建設，即實施“SiC功率器件生產線建設項目”，擬建設一條6吋SiC功率器件芯片生產線，項目總投資為15億元，建設周期3年，最終形成年產14.4萬片6吋SiC功率器件芯片的產能（主要產品為SiCMOSFET、SiCSBD）。 2017年12月，士蘭微與廈門半導體投資集團有限公司簽署了《關于化合物半導體項目之投資合作協議》，雙方共同投資設立了廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司（士蘭明鎵），在廈門
- 大面積碳化硅陶瓷膜層化學氣相沉積（CVD）技術[ 08-23 16:25 ]
- 光刻機等集成電路關鍵制造裝備中某些高性能光學元件對材料制備有著苛刻的要求，不僅要求材料具有高的穩定性，還需滿足某些特定的光學性能要求。反應燒結碳化硅經拋光后其面型精度高，但是該材料是由碳化硅和游離硅組成的兩相材料，在研磨拋光等過程各相的去除速率不一致，無法達到更高的面型精度，因此無法滿足特定光學部件性能要求。 采用反應燒結碳化硅基體結合化學氣相沉積碳化硅(CVDSiC)膜層的方法制備高性能反射鏡，通過優化先驅體種類、沉積溫度、沉積壓力、反應氣體配比、氣體流場、溫度場等關鍵工藝參數，可實現大面積、均勻CVDSi
- 碳化硅陶瓷反應連接技術[ 08-22 17:23 ]
- 全封閉、中空部件的制備一般采用連接工藝獲得，目前常用的陶瓷連接方法主要有釬焊、擴散焊等，但這些方法均存在工藝復雜、焊接料性能同碳化硅基體差別大等缺點，難以滿足光刻機等集成電路制造裝備對復雜結構部件的使用要求。 根據反應燒結碳化硅的工藝特點，將待粘接零部件進行預處理，并通過粘接料對制品進行粘接，隨后再進行反應燒結，使制品的連接與反應燒結同步完成。通過調節粘接料的組分、控制連接工藝，可實現復雜結構部件的致密、高強度、無縫隙粘接。
- 高精度碳化硅陶瓷制品無模成型工藝[ 08-20 16:21 ]
- 雖然采用凝膠注模成型工藝可以實現復雜形狀陶瓷制品的近凈尺寸制備，但該工藝對模具要求高，在制備復雜大尺寸部件時需設計和制造模具，增加了時間成本和模具成本，一定程度上制約了該工藝在陶瓷結構件批量化生產中的應用。另一方面，對一些尺寸精度要求高的陶瓷部件，凝膠注模成型工藝則無法滿足其尺寸精度要求。 與傳統“自下而上”的無模成型工藝不同，陶瓷素坯加工工藝(Greenceramicmachining,GCM)是一種“自上而下”的工藝，其原理類似金屬材料或木材的加工過程如車、
