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- 碳化硅晶圓生產用高純碳化硅粉制備方法[ 09-07 15:41 ]
- 生長SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，其中雜質含量應至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中，氣相法通過控制氣源中的雜質含量可以獲得純度較高的SiC粉體；液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿足單晶生長需要的SiC粉體；固相法中的改進自蔓延高溫合成法是目前使用范圍最廣，合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。 一、氣相法 1.化學氣相沉積法（CVD法） CVD法是通過氣體的高溫反應得到超細、高純的SiC粉體，其中Si源一般選擇SiH4和SiCl4等，C源一般選擇CH4、C2H2和CCl4等
- 碳化硅粉在碳化硅晶圓生產中的應用[ 09-06 16:39 ]
- 碳化硅晶圓的生產，是先要制備碳化硅襯底，目前其制備多采用改進Lely法、高溫CVD法和溶液法，其中以改進Lely法為主流。 Lely法，又稱升華法，其基本原理是：在空心圓筒狀石墨坩堝中（最外層石墨坩堝，內置多孔石墨環），將具有工業級純度的碳化硅粉料投入坩堝與多孔石墨環之間加熱到2500℃，碳化硅在此溫度下分解與升華，產生一系列氣相物質比如硅單晶、Si2C和SiC2等。由于坩堝內壁與多孔石墨環之間存在溫度梯度，這些氣相物質在多孔石墨環內壁隨機生成晶核。但Lely法產率低，晶核難以控制，而且會形成不同結構，尺寸也
- 碳化硅陶瓷在新能源領域的潛力[ 09-05 16:13 ]
- 碳化硅陶瓷是從20世紀60年代開始發展起來的一種先進陶瓷材料，由于具備化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、密度小、耐磨性能好、硬度大、機械強度高、耐化學腐蝕等特性，在精細化工、半導體、冶金、國防軍工等領域都有著廣泛的應用。 值得關注的是，在近年發展得如火如荼的鋰電池領域中，碳化硅陶瓷在其原料的制備環節上也同樣發揮著重要作用，如： ①磷酸鐵鋰正極材料的超細研磨 磷酸鐵鋰是目前廣泛使用的鋰電池正極材料之一。由于納米粒子可減小鋰離子嵌入脫出深度和行程，保證大電流放電時容量不衰減，因此“超
- 碳化硅功率器件的多功能集成封裝技術和散熱技術介紹[ 09-03 16:45 ]
- 碳化硅器件的出現推動了電力電子朝著小型化的方向發展，其中集成化的趨勢也日漸明顯。瓷片電容的集成較為常見，通過將瓷片電容盡可能靠近功率芯片可有效減小功率回路寄生電感參數，減小開關過程中的震蕩、過沖現象。但目前瓷片電容不耐高溫，所以并不適宜于碳化硅的高溫工作情況。 驅動集成技術也逐漸引起了人們的重視，三菱、英飛凌等公司均提出了SiC智能功率模塊(IPM)，將驅動芯片以及相關保護電路集成到模塊內部，并用于家電等設備當中。此外，還有EMI濾波器集成，溫度、電流傳感器集成、微通道散熱集成等均有運用到碳化硅封裝設計當中。
- 碳化硅功率器件的高溫封裝技術介紹[ 09-02 17:02 ]
- 在進行芯片正面連接時可用銅線替代鋁線，消除鍵合線與DBC銅層之間的熱膨脹系數差異，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。 錫片或錫膏常用于芯片和DBC板的連接，焊接技術非常成熟而且簡單，通過調整焊錫成分比例，改進錫膏印刷技術，真空焊接減小空洞率，添加還原氣體等可實現極高質量的焊接工藝。但焊錫熱導率較低，且會隨溫度變化，并不適宜SiC器件在高溫下工作。此外，焊錫層的可靠性問題也是模塊失效的一大原因。 燒結銀連接
