聯系金蒙新材料
- 碳化硅功率模塊的應用[ 02-21 12:18 ]
- 碳化硅模塊是支撐各種工業應用的關鍵技術之一，相比傳統硅基IGBT功率模塊具有更高功率密度、更高可靠性、更高工作結溫、更低寄生電感、更低熱阻等特性。在需要提升系統功率密度、使用更高主開關頻率的尖端電力電子設備的性能升級過程中，現有硅基IGBT配合硅基FRD（快恢復二極管）的性能已無法完全滿足要求，需要高性能與性價比兼具的主開關器件。 隨著SiC技術的日趨成熟和商業化應用，其獨特的耐高溫性能不斷加速推動結溫從150℃邁向175℃，甚至已出現了200℃的產品。借助于這種獨特的高溫特性和低開關損耗優勢，可以為未來的高
- 燒結溫度對SiC多孔陶瓷性能的影響[ 02-20 08:36 ]
- (1)XRD分析表明，隨著燒結溫度的升高，SiO2的特征衍射峰強度逐漸升高，在1690℃時SiO2的特征衍射峰強度最高，這是因為燒結溫度較高導致了SiC表面發生了氧化反應，形成了致密的氧化膜，包覆了SiC。 (2)氣孔率測試發現，隨著燒結溫度的升高，SiC多孔陶瓷的氣孔率呈現出先降低后增加的趨勢，在1660℃時氣孔率最低為32.1％。 (3)分析發現，在1600和1630℃下燒結的SiC多孔陶瓷中的小顆粒較多，且SiC多孔陶瓷的顆粒較為分散；隨著燒結溫度的升高，小顆粒相逐漸減少，斷面出現了較多的氣孔，且
- 絲瓜衍生環保型碳化硅陶瓷基復合相變材料[ 02-19 10:22 ]
- 據悉南京航空航天大學低碳航空動力與綠色能源創新團隊宣益民院士、劉向雷教授等人在Energystoragematerials上發表了題為“Loofah-derivedeco-friendlySiCceramicsforhigh-performancesunlightcapture,thermaltransport,andenergystorage”的研究論文。該工作在團隊前期研究（Mater.TodayEnergy,21(2021)100764；Sol.EnergyMaterSol.Cells
- 河南：積極布局5G、半導體材料產業，重點發展碳化硅、氮化鎵等第三代半導體材料[ 02-18 08:40 ]
- 在5G方面，要培育引進一批5G智能終端、通信模組、天饋線、5G小型化基站設備、5G高頻元器件等制造企業和項目，加快形成5G關鍵器件及材料生產能力。建設5G產品監測、認證、入網檢測等公共服務平臺，搭建5G創新中心，提高產業發展綜合服務水平。實施5G融合應用工程，重點推動5G在工業互聯網、車聯網、智慧城市、智慧農業、智慧醫療等領域融合應用，打造一批5G標桿應用場景。 在半導體方面，積極布局半導體材料產業，發展以碳化硅、氮化鎵為重點的第三代半導體材料，提升大尺寸單晶硅拋光片、電子級高純硅材料、區熔硅單晶研發及產業化
- 碳化硅單晶襯底是半導體功率器件產業鏈上極為關鍵一環[ 02-17 10:08 ]
- 碳化硅器件性能非常突出，但其生產過程可謂是困難重重。其產業鏈貫穿了材料、芯片設計、制造工藝等各個環節。相對傳統硅基技術而言，寬禁帶功率器件由于采用了SiC半導體材料，在各關鍵技術環節也會遇到新的問題與挑戰。 SiC半導體功率器件產業鏈 從技術的角度來說，與硅基功率器件制作工藝不同，碳化硅器件不能直接制作在碳化硅單晶材料上，需要在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，最后在外延層上制造各類器件。傳統的碳化硅外延基于高品質碳化硅單晶襯底，以實現晶格匹配和降低缺陷密度（微管、位錯、層錯等）。 即是說
