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- SiC在煉鋼中的應用[ 11-29 15:10 ]
- SiC應用于脫氧合金化 SiC作為脫氧劑加入鋼水后生成低熔點的SiO2和CO氣體，CO上浮過程中起攪拌鋼液的作用，利于脫氧產物擴散和夾渣物上浮，使其反應更為徹底，脫氧效果好于硅鐵。根據出鋼前終點碳含量和硅含量，可確定SiC和硅鐵的添加量。SiC具有較好的增碳效果，冶煉碳含量較高的鋼種時，SiC除了可以增碳外，更具有特殊的作用，尤其是SiC中的S、N、H元素含量較低，有利于提高鋼液質量，是其他增碳劑如石油焦、無煙煤無法相比的。 SiC作爐外精煉脫氧劑 SiC可以作為爐外精煉脫氧劑。精煉爐脫氧和電爐還原期脫氧
- 碳化硅的神奇之處，低品質也有大用處！[ 11-29 15:07 ]
- 5G通信、新能源汽車等新興產業對碳化硅材料將產生巨大需求，大力發展碳化硅產業，可引領帶動原材料與設備兩個千億級產業。尤其是今年發布的“‘十四五’規劃和2035年遠景目標綱要”提出我國將加速推動以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體新材料新技術產業化進程，這無疑會進一步促進碳化硅產業的發展。 眾所周知，碳化硅有四大應用，即半導體、陶瓷、耐火材料、磨具！其中半導體對碳化硅的品質要求是最高的，工藝也是最難的。陶瓷、耐火材料、磨具對碳化硅的純度、粒度、形貌等也有一定的品質要求
- 第三代半導體材料發展新方向[ 11-29 15:02 ]
- 眾所周知，采用第三代半導體材料的目的是為了提高產品效率和功率密度。大功率產品主要是Si IGBT向SiC MOSFET發展，目前在車載應用方面已經開始全面替換，其效率的提升以及重量的減輕直接提高了電動車的續航能力。而中小功率產品是Si MOSFET向GaN HEMT發展，主要應用是數據中心電源及充電適配器。 數據中心消耗的能源大概占總發電量的10%左右，采用第三代半導體材料GaN設計的電源能夠使效率提高3到5個點，從而節省全國千分之三到千分之五的電力消耗。這對于碳中和有非常重要的意義。充電適配器方面，采用氮化鎵可
- GaN和SiC材料的技術難點和特點[ 11-29 14:59 ]
- 目前，第三代半導體材料GaN和SiC已經得到了市場認可和高度關注。在功率半導體的范疇，業內人士認為，除了LED發光和射頻，第三代半導體材料SiC的技術難點主要在于襯底缺陷的控制。當前低缺陷密度的襯底材料主要是歐美及日本廠商生產，國內想要突破還需要相當長的一段時間。 同時第三代半導體材料SiC工藝控制難度高、產品批次性波動大導致良率偏低以及主要材料供應被壟斷，甚至推導到市場價格一直居高不下，目前只限定在部分應用市場。但相比SiC更低損耗、更高效率以及高電壓耐高溫等一系列自身特點而言，第三代半導體材料SiC的應用已經
- 初識陶瓷耐磨材料--碳化硅[ 11-29 14:54 ]
- 目前常用的耐磨材料主要有金屬耐磨材料、高分子耐磨材料、陶瓷耐磨材料等。金屬耐磨材料具有較高的強度、較高的硬度、較高的韌性和較高的耐磨損性等一系列優異的特性，經歷了高錳鋼、普通白口鑄鐵、鎳硬鑄鐵到高鉻鑄鐵的幾個階段。到目前為止，性能最優異的有耐磨鋼、耐磨鑄鐵兩大類。其中耐磨鋼除了傳統的奧氏體錳鋼及改性高錳鋼、中錳鋼以外，根據碳含量的不同又通常分為中碳、中高碳、高碳合金耐磨鋼；根據合金元素含量的不同又分為低合金、中合金及高合金耐磨鋼；根據組織結構的不同又分為奧氏體、貝氏體、馬氏體耐磨鋼。耐磨鑄鐵中的普通白口鑄鐵、低碳白
