聯(lián)系金蒙新材料
- 硼、碳和鋁燒結助劑對SiC陶瓷燒結的影響[ 12-30 14:42 ]
- 研究發(fā)現(xiàn)，SiC陶瓷燒結時可加入B、C、Al來實現(xiàn)致密化，B系與C系燒結助劑的添加能夠降低SiC晶界能與表面能的值，增強擴散的驅動力，而Al系燒結助劑可以以固溶的方式活化晶格，促進致密化進行。 對于無壓或熱壓燒結SiC，在不使用燒結助劑情況下基本難以實現(xiàn)致密燒結，但燒結助劑加入不當又會使材料性能惡化。SiC陶瓷的力學性能受游離C的分布影響很大，而B的分布又會使游離C的晶粒由等軸狀生長為長柱狀，起到界間強化的作用。另外，溫度的升高會促進基體晶粒的多邊形化，但過大的基體晶粒尺寸又會對晶界處游離C的生長產生抑制作用
- 氟化物燒結助劑對SiC陶瓷燒結的影響[ 12-30 14:39 ]
- 有研究表明，SiC陶瓷樣品的密度與熱導率隨YF3的加入顯示先增后減的變化，當加入5%的YF3時，密度與熱導率均達到最大。YF3作為燒結助劑可以提高SiC陶瓷的致密度和熱導率主要是由于YF3可以與SiO2反應生成第二相，同時達到除氧的目的，凈化SiC的晶格。而生成的液相也可以促進燒結的進行，降低燒結溫度。 密度與熱導率出現(xiàn)先增后減的變化，原因可能有如下兩點: 第一，添加適量燒結助劑形成的液相可以使陶瓷致密化程度提高。YF3添加量過少，不足以形成足夠的液相，而過量的YF3又會產生過多液相，粘度增加，均不利于
- 阻礙SiC陶瓷燒結的因素[ 12-30 14:34 ]
- SiC的構成單元為Si與C原子比為1:1的正四面體，在SiC晶格中，Si與C之間的平均鍵能為300kJ/mol，共價鍵與離子鍵比值約為4:1，這使得其難以燒結成致密陶瓷。阻礙SiC陶瓷燒結的因素有以下兩個方面： ①熱力學方面 SiC的晶界能較高，粉體顆粒表面能相對較低，SiC陶瓷燒結推動力低，燒結難度增大。目前可通過引入燒結助劑、選用納米級原料細粉及施加外部壓力的方式來促進燒結。 ②動力學方面 SiC晶格原子間的鍵能使得物質遷移所需能量高，物質難以擴散，而蒸發(fā)—凝聚傳質至少需要蒸
- 中科鋼研高純碳化硅項目及高端裝備項目開工[ 12-21 10:07 ]
- 12月18日，中科鋼研高純碳化硅粉和智能高端裝備制造項目開工儀式在山東菏澤舉行。 據(jù)悉，集中開工的兩個項目采用國際一流標準，建設智能高端裝備和高純碳化硅粉新材料兩個“總部+生產+研發(fā)”三合一項目，投資額均超過10億元。早前披露信息顯示，2018年開工總投資10億元的山東萊西中科鋼研半導體項目預計年內投產，全部達產可實現(xiàn)年產5萬片4英寸碳化硅晶體襯底片、5000片4英寸高純度半絕緣型碳化硅晶體襯底片。菏澤項目無疑是該項目原料就近供給的有力支撐。 中科鋼研擁有先進的4／8英寸升華法碳
- SiC反向恢復時間與Si MOSFET相比如何？[ 12-20 14:43 ]
- SiCMOSFET與其硅對應物一樣，具有內部體二極管。體二極管提供的主要限制之一是不希望的反向恢復行為，當二極管關斷同時承載正正向電流時會發(fā)生這種情況。因此，反向恢復時間(trr)成為定義MOSFET特性的重要指標。圖2顯示了1000V基于Si的MOSFET和基于SiC的MOSFET的trr之間的比較。可以看出，SiCMOSFET的體二極管非常快：trr和Irr的值小到可以忽略不計，能量損失Err大大降低。
